突破半导体设备壁垒，欧诺半导体完成新一轮融资，大璞资本担任独家财务顾问

　　近日，杭州欧诺半导体设备有限公司完成新一轮融资，由浙商创投领投，大璞资本担任本轮独家财务顾问。本轮资金将主要用于产品研发、产能提升与市场拓展，进一步夯实其在半导体炉管设备领域的领先位置。在芯片制造这条长产业链里，设备是 “卡脖子” 环节之一。而炉管设备，更是晶圆制造中覆盖工艺广、技术壁垒高、长期被海外垄断的关键装备。欧诺半导体之所以能快速获得资本认可，正是因为它在这个细分赛道做出了真正的国产化突破。

　　一、聚焦半导体核心装备：炉管设备是先进制程关键瓶颈

　　半导体设备是芯片产业链自主可控的核心环节，而炉管设备更是贯穿晶圆制造前道、中道、后道全流程的关键装备，承担氧化、扩散、退火、薄膜沉积等核心工艺。在成熟制程中，炉管相关工艺约占 20–30 道层；在 14nm 以下先进制程中，炉管工艺占比进一步提升至30 层以上，是决定芯片良率与性能的关键设备。当前全球炉管设备市场高度集中，TEL、KE 等海外厂商占据近 90% 市场份额，国内虽在常压炉（AP 炉）领域实现较高国产化率，但在技术壁垒更高并且价值量更大的低压炉（LPCVD）、原子层沉积炉（ALD）领域，国产化率仍不足 5%，是先进制程与先进封装最迫切需要突破的卡脖子环节之一。欧诺半导体成立于 2023 年 7 月，依托成熟稳定的常压炉技术打底，同时以高壁垒低压炉（LPCVD）构建差异化核心优势，产品全面覆盖 8 英寸与 12 英寸晶圆制程，服务逻辑芯片、存储芯片、功率器件、化合物半导体、MEMS 及先进封装等高增长赛道。

　　二、两大核心技术攻坚行业痛点，欧诺实现全温域、超净制程突破

　　针对炉管设备行业普遍存在的设备维护清洁难、颗粒度控制差、腔体设计缺陷、原位掺杂不均、温度均匀性不足五大痛点，以及先进制程低热预算、高台阶覆盖率、高深宽比填孔等制程难题，欧诺半导体聚焦两大核心技术，实现全方位突破。

　　1. 腔体薄膜超净技术：重构洁净标准，覆盖全工艺场景

　　欧诺以Metal-free 无金属腔体为核心，构建 N₂ Loadlock、±0.1℃控温系统、高精度气体输送、稳定晶圆传送等完整模块解决方案，实现：

　　• 金属污染控制≤1E10 atoms/cm²，清洗终点精准控制＜15nm； • 微环境防扰流 + 超净真空机械手，颗粒缺陷控制在 10ea 以下； • 腔体气体优化 + 生长蚀刻交替，台阶覆盖率＞90%，空洞形成率改善＞90%； • 设备可 100% 覆盖成熟与先进工艺，LPCVD全工艺搭载，defect 控制大幅优于行业水平。

　　该技术已完成12 寸 LPCVD多款膜种、8 寸 LPCVD 多款膜种客户端工艺验证及量产验证，为多家实验室完成打样工艺，性能直接对标日本 TEL /KE最先进 LPCVD 设备，工艺验证周期较行业缩短 50%。

　　2. 精准低温控制技术：填补行业空白，适配先进封装刚需

　　随着先进封装对低温工艺要求下探至200℃以下，传统炉管设备无法满足高精度温控需求。欧诺通过加热器特殊设计 + 热场大模型推演，实现全温域精准控制：

　　• 超低温段（150-250℃）：控温精度 ±0.2℃，室温至 200℃升降温稳定性 ±0.1℃/ 分钟； • 中高温段（500-1100℃）：8/12 寸全系列达标，控温精度 ±0.1℃，优于国内竞品； • 热场均匀性＜±0.5℃，各温区协同差＜±2℃，关键指标全面超越行业水平。

　　该技术完美适配 HBM 键合退火、低温栅氧等先进工艺，填补国内低温段炉管温控技术空白。

　　三、前瞻布局更高端赛道：ALD 炉管蓄势待发，瞄准下一代技术制高点

　　在稳固常压炉、突破低压炉的基础上，欧诺半导体已将ALD 炉管确立为下一阶段核心战略方向。ALD 炉管依托原子层级沉积精度，在薄膜均匀性、台阶覆盖率、低热预算适配性上全面超越 LPCVD，是14nm 以下先进制程、3D NAND、先进封装的刚需装备，技术壁垒与产品价值更高，当前全球市场仍由日本 TEL、KE 等企业高度垄断，国产供给近乎空白。凭借已成熟的腔体超净、低温控制、气体精准输送等核心模块，欧诺半导体已完成 ALD 炉管关键技术方案储备，现有技术积累可覆盖 ALD 设备 90% 以上开发需求，未来 ALD 炉管落地后，将进一步巩固公司在高端炉管领域的领先地位，打开更广阔的成长空间。

　　四、商业化落地领先：客户验证扎实，订单与产品快速推进

　　欧诺半导体核心团队来自中芯国际、东京电子（TEL）、Intel等全球龙头企业，平均从业经验 12 年以上，在设备研发、工艺调试、量产交付方面具备深厚产业积累。欧诺成立以来始终坚持 “技术可验证、产品可交付、客户可规模化” 的商业化路径，目前已形成 8 寸 + 12 寸、成熟制程 + 先进制程、硅基 + 化合物 + 先进封装的全场景产品布局欧诺已成功进入多家国内一线芯片制造企业及科研机构供应链，8 寸 LPCVD、12 寸 LPCVD 设备均已实现出货并且在客户端量产，作为国内少数在 8寸/12 寸 LPCVD 领域实现工艺对标、可替代海外设备的厂商，其验证周期显著快于行业平均水平，商业化进度与客户认可度均位居国内同行业前列，已成为国内高端炉管设备国产化推进最快的本土企业之一。

　　五、市场红利释放：国产炉管设备将迎黄金发展期

　　受益于政策激励与国产芯片发展战略的双重驱动，国内成熟制程的产能持续扩产，导致对炉管设备具有极大的需求。国内成熟制程产能占比也越来越高，2023年中国（含中国台湾）成熟制程占全球成熟制程的76%，预计到2027年中国（含中国台湾）成熟制程占比约为83%。国内炉管市场的市场规模也随着成熟制程的需求不断的增长

数据来源：大璞资本整理

　　在先进制程/先进封装领域，LPCVD+ALD是未来炉管主战场。由于国内整体目前侧重于成熟制程，所以从炉管市场的结构占比来看，国内外存在较大区别。未来LPCVD+ALD份额占比有望进一步增大。

数据来源：大璞资本整理

　　欧诺半导体凭借核心技术优势+产品落地能力+客户资源，精准卡位国产替代核心赛道，成为国内先进制程炉管设备的领军企业，助力中国半导体制造产业链自主可控。

　　六、支持硬科技，助力半导体装备自主可控

　　浙商创投表示：

　　半导体设备是芯片产业链自主可控的重中之重，炉管设备在先进制程与先进封装中的价值持续提升。欧诺半导体团队产业经验深厚、技术壁垒扎实、产品落地速度领先，是高端炉管领域极具长期竞争力的国产优质企业，未来发展空间广阔。

　　大璞资本表示：

　　先进制程与先进封装双轮驱动下，LPCVD 与 ALD 炉管设备正迎来高速增长期，赛道壁垒高、市场空间大、确定性强。欧诺半导体聚焦高壁垒细分赛道，以核心技术为根基、以客户需求为导向，商业化路径清晰、验证效率领先，是国产替代的标杆型企业。