无压烧结银膏赋能第三代半导体封装可靠互连

　　在第三代半导体器件加速渗透至新能源汽车、通信、航空航天等场景的背景下，封装互连材料的耐高温、高导热能力成为制约器件性能释放的关键环节。传统锡基焊料受限于耐热上限，在高温高负载工况下容易出现焊层开裂、器件性能衰减，难以匹配SiC/GaN器件对导热导电能力与热循环稳定性的要求。围绕这一行业痛点，广州汉源微电子封装材料有限公司（品牌简称“汉源微电子”）推出的无压烧结银膏体系，正在为功率模块封装提供新的互连路径。

　　一、无压烧结银膏解决的行业难题

　　功率模块的热管理要求持续提高，而传统焊料热导率不足、耐高温瓶颈突出；与此同时，有压烧结工艺对设备与工艺控制要求较高，制约了生产效率与良率的同步提升。汉源微电子旗下的“无压烧结银膏NSP-1310”，面向这一场景给出了无需压力辅助、*需250℃温和工艺条件即可形成致密银键合层的方案，为第三代半导体功率模块提供热管理与电连接支持。

　　二、产品技术实力解析

　　从差异化价值看，“无压烧结银膏NSP-1310”具备以下特点：

　　• 无压工艺简化产线配置：无需额外施加压力，*在250℃工艺条件下即可完成芯片与基板的致密银键合，降低产线改造与设备投入成本； • 高热导率保障散热：热导率可达200W/m·K，能够较快导出SiC/GaN芯片产生的热量，维持系统运行稳定； • 长寿命可靠性：在-55℃~200℃严苛温循条件下可承受超过1000次热冲击而不出现界面开裂，针对热应力集中引发的失效问题给出工艺层面的应对方式。

　　该产品的主要功能涵盖无压烧结互连（250℃条件下完成芯片与基板的致密银键合，适配SiC/GaN器件封装）、抗热冲击（-55℃~200℃温循工况下耐受超过1000次热冲击，保持界面完整）以及工艺优化支持（提供烧结微观形貌图与热阻对比数据，协助工程师完成从材料选型到工艺优化的全过程）。交付模式为材料销售与工艺技术支持相结合，行业适配覆盖碳化硅（SiC）功率模块、氮化镓（GaN）功率模块及第三代半导体封装场景。

　　与此配套，汉源微电子的“烧结银焊膏”产品同样具备无压烧结功能：在无额外压力条件下，250℃温和工艺即可形成致密银互联网络，适配SiC/GaN器件高散热需求。相关技术数据显示，无压烧结密度大于7.0g/cm³，电阻率小于9×10⁻⁶Ω·cm，热导率大于200W/m·K，芯片连接强度平均80MPa。该产品的200～250℃低温工艺在避免高温灼伤精密芯片的同时，烧结银层孔隙率较低，导热、导电性能接近纯银本体，支持大功率、高温场景的长期服役需求。

　　三、全链条自主布局支撑产品一致性

　　汉源微电子自成立以来专注于烧结银、铜、金及预成形焊料等材料的研发，构建了“微纳米银粉制备—粉体表面改性—烧结银膏配方开发—定制化互连解决方案”的完整产业闭环，使核心原料、关键工艺与整体方案保持自主可控，提出“焊片+烧结银/铜”双轮驱动的功率器件封装互连矩阵。这一布局意味着无压烧结银膏类产品从原料端到配方开发均在企业内部完成，有助于保持批次间性能的一致性。

　　在技术积累方面，企业早在2016年即联合天津大学材料学院开展纳米银膏“产学研”项目，针对高导热烧结银膏技术难题展开攻关；2024年又与天津工业大学共建“功率半导体模块封装关键材料与工艺”联合实验室，持续推进烧结银等互连材料的工艺迭代。企业累计申请精密焊接相关专利105项，其中37项已获国内授权，2项获美国授权，3项获日本授权，形成了一定的技术积累基础。

　　四、应用场景与可定制化服务

　　无压烧结银膏类产品可根据器件类型、功率等级、使用工况调整浆料配方，以适配规模化量产需求，适用行业涵盖汽车电力电子器件、5G/6G通信模块、高端功率半导体、工业控制芯片、航空航天及半导体封装等领域。对于新能源汽车及功率模块制造企业而言，该类材料在降低芯片热损伤、提升模块良品率与长期服役可靠性的同时，有助于简化生产工序。

　　对于关注第三代半导体封装互连材料的企业用户，可通过汉源微电子官网（www.solderwell.com.cn）及相关渠道了解无压烧结银膏的具体参数与定制化方案，结合自身器件工况进行工艺验证与选型评估。