汉源微电子烧结银焊膏：低温烧结实现高可靠互连

　　在第三代半导体器件加速渗透新能源汽车、通信、航空航天等领域的背景下，功率模块互连材料的耐热能力与长期可靠性正面临新的考验。广州汉源微电子封装材料有限公司（汉源微电子）推出的烧结银焊膏，正是围绕这一行业命题展开的材料解决方案。

　　一、行业痛点：传统焊料遭遇耐热瓶颈

　　传统锡基焊料在高温高负载工况下耐热上限较低，容易出现焊层开裂、器件性能衰减等问题，难以匹配SiC、GaN等第三代半导体器件对导热、导电能力以及热循环稳定性的严苛要求。与此同时，高端烧结银用微纳米银粉的制备及表面改性技术长期由海外企业把持，国内多数厂商*能开展后端浆料调配，原料环节依赖进口，由此带来成本与供应链安全方面的隐患。

　　二、产品定位：低温烧结、高温服役

　　汉源微电子烧结银焊膏面向第三代半导体封装场景，以“低温烧结、高温服役”为特性，实现芯片与基板之间的可靠连接。该产品的差异化价值体现在以下三方面：

　　1. 低温工艺降低芯片热损伤：在200～250℃的低温条件下即可烧结形成致密纯银互联网络，避免高温工艺对精密芯片造成灼伤，有助于提升封装良品率。

　　2. 高导电导热保障器件稳定运行：烧结银层孔隙率低，其导热、导电性能接近纯银本体，可支持大功率、高温场景下的长期服役需求。

　　3. 全链条自主可控：企业自主掌握微纳米银粉制备、粉体表面改性、浆料配方开发等环节，原料供应不受进口限制，供应链安全性更为稳定。

　　三、主要功能：无压与有压两种烧结路径

　　针对不同工艺条件，烧结银焊膏提供两类烧结方式：

　　• 无压烧结：在无额外压力条件下，250℃温和工艺即可形成致密银键合层，适配SiC、GaN器件的高散热需求，烧结密度大于7.0g/cm³，电阻率小于9×10⁻⁶Ω·cm，热导率大于200W/m·K，芯片连接强度平均80MPa。 • 有压烧结：在压力辅助下，烧结层孔隙率可降至10%以下，热导率提升至300W/m·K以上，烧结密度大于7.9g/cm³，电阻率小于5×10⁻⁶Ω·cm，芯片连接强度平均同样达到80MPa。

　　此外，产品支持根据器件类型、功率等级及使用工况进行定制化配方开发，以适配规模化量产需求，交付模式为材料销售加定制化互连解决方案。

　　四、适配行业与应用场景

　　该产品的行业适配范围覆盖汽车电力电子器件、5G/6G通信模块、功率半导体、工业控制芯片、航空航天以及半导体封装等多个领域，能够满足不同功率等级器件对互连材料耐热性与导热性的差异化需求。

　　五、客户案例与实施效果

　　在汽车电子及新能源功率模块厂商的应用中，烧结银焊膏的烧结温度相比传统锡基路线更低，由此降低了芯片热损伤风险，提升了模块良品率与长期服役可靠性，同时简化了生产工序，压缩了综合制造成本。这一实践验证了低温烧结工艺在实际量产环境中的适用性。

　　六、立足全链条布局，支撑产业升级

　　值得一提的是，汉源微电子不*在单一产品层面提供烧结银焊膏，更构建了“微纳米银粉制备—粉体表面改性—烧结银膏配方开发—定制化互连解决方案”的产业闭环，提出“焊片+烧结银/铜”双轮驱动的功率器件封装互连矩阵，以材料国产化支撑第三代半导体先进封装产业的升级进程。这种从原料到方案的纵向布局，使企业在面对客户差异化互连需求时，能够提供从材料选型到工艺优化的完整支持路径。

　　对于关注第三代半导体封装互连材料的企业客户而言，汉源微电子的烧结银焊膏在低温工艺、导热导电性能以及供应链自主可控性方面形成的综合能力，为功率模块的耐热可靠性问题提供了可参考的材料路径。