适配AI电源架构 中晶新源30V SGT 实现性能均衡升级

　　随着人工智能基础设施、高性能计算及智能化电源系统持续迭代，低压供电架构对功率器件的运行效率、使用稳定性与空间利用率提出更为严苛的要求。针对行业应用升级需求，依托股东晶圆厂的产能与技术支撑，中晶新源持续推进SGT器件技术迭代，推出30V N沟道SGT MOSFET系列产品：SMT300UALP、SMT300UALPS。

　　该系列产品基于迭代优化的SGT技术平台打造，采用PDFN5060-8L紧凑型封装，可适配AI服务器电源IBC-LV、电池管理BMS、高功率密度DC-DC转换等场景，可满足设备Hot Swap、ORing电路对低压功率器件低导通电阻、大脉冲电流承载、稳定安全工作区（SOA）的使用要求。

　　针对低压大电流场景高效率、高稳定性、高功率密度的应用特点，中晶新源通过优化SGT器件内部结构，让两款新品在导通损耗、脉冲电流承载、安全工作区等关键维度完成性能升级，可为新一代AI电源及高可靠终端设备提供适配的器件选型方案。

　　其中，SMT300UALP主打低损耗表现，器件导通阻抗低至0.32mΩ，相较市面同规格主流产品，导通损耗可实现明显优化。配合调校后的动态参数与开关特性，能够有效降低设备运行损耗，提升电源整体转换效率，匹配高功率密度电源的持续运行需求。

　　SMT300UALPS侧重综合性能均衡，在0.39mΩ导通阻抗参数基础上，优化安全工作区表现。在10ms单脉冲测试条件下，产品SOA性能相较市面同类产品有着不同幅度提升，可为AI服务器Hot Swap、ORing电路设计提供充足的性能裕量，降低设备瞬态工况下的运行风险。

　　产品性能与应用价值

　　依托迭代优化的SGT技术与紧凑型贴片封装设计，SMT300UALP、SMT300UALPS有效平衡低压大电流场景下的导通损耗、电流承载能力与运行稳定性，适配AI算力电源、工控电源等新一代功率系统的设计趋势。

　　目前，两款30V SGT MOSFET产品已完成多海内外客户性能验证，现已进入批量量产阶段。凭借稳定的阻抗特性、优化的安全工作区表现与可靠的产品品质，可为高功率密度电源架构提供兼顾效率与稳定性的功率器件解决方案。

　　未来，中晶新源将持续扩充SGT MOSFET产品矩阵，持续迭代低压功率器件性能，推进产品在AI电源、高功率密度终端设备的规模化应用落地，持续适配下一代电源架构的升级需求。